Speicher
EP4033326
Art B1
7. Februar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033326
- Aktenzeichen
- EP21859894
- Anmeldetag
- 6. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2024
- Erteilung
- 7. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C11/4093G11C11/408
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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