Speichersystem

EP4033489 Art A1 27. Juli 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4033489
Aktenzeichen
EP21853076
Anmeldetag
5. Februar 2021
Veröffentlichung
27. Juli 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C11/4076G11C16/02H03K19/17784H03K19/017G06F13/42G06F13/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

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