Speicher
EP4033490
Art B1
6. August 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033490
- Aktenzeichen
- EP21859788
- Anmeldetag
- 11. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 6. August 2025
- Erteilung
- 6. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/10G06F13/16G11C7/22G11C11/4076G11C29/12H01L25/065H01L25/18G06F12/02G11C11/4063
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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