Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Kristallinen Halbleitenden Inseln

EP4033531 Art B1 2. August 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4033531
Aktenzeichen: EP22161925
Anmeldetag: 14. März 2018
Veröffentlichung: 2. August 2023
Erteilung: 2. August 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L25/075H01L21/02// H01L33/00H01L33/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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