Treiberschaltung und Speicherchip

EP4033659 Art B1 1. November 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4033659
Aktenzeichen
EP21773433
Anmeldetag
7. Juli 2021
Veröffentlichung
1. November 2023
Erteilung
1. November 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H03B5/12G05F1/575G11C11/4096G11C7/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik Steuerungs- & Regelungstechnik

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