Kalibrierungsschaltung, Speicher und Kalibrierungsverfahren
EP4033662
Art B1
10. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033662
- Aktenzeichen
- EP21870482
- Anmeldetag
- 8. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2024
- Erteilung
- 10. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K5/156G11C7/22G11C29/02H03K5/135
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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