Potentialerzeugungsschaltung, Inverter, Verzögerungsschaltung und Logische Gatterschaltung
EP4033664
Art B1
10. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4033664
- Aktenzeichen
- EP21856898
- Anmeldetag
- 24. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2024
- Erteilung
- 10. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K19/00H03K3/011H03K19/003H03K5/13H03K19/20G05F1/575
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank