Feldeffekttransistor mit Verbesserten Gate-Strukturen

EP4035210 Art A1 3. August 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4035210
Aktenzeichen: EP20745367
Anmeldetag: 30. Juni 2020
Veröffentlichung: 3. August 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/01H10D30/47H10D64/01H10P14/42H10D64/27H10W20/00H10W20/44// H10W10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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