Speichervorrichtung, Testverfahren dafür und Verwendungsverfahren dafür sowie ein Speichersystem
EP4036917
Art B1
24. Mai 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4036917
- Aktenzeichen
- EP21868167
- Anmeldetag
- 9. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2023
- Erteilung
- 24. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/00G11C29/12G11C29/14G11C29/26G11C29/44// G11C5/02G11C5/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank