Entzerrerschaltung, Datensammelverfahren und -Speicher

EP4040439 Art A1 10. August 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4040439
Aktenzeichen
EP21867897
Anmeldetag
31. Mai 2021
Veröffentlichung
10. August 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10H04L25/03G11C7/02// G11C7/22
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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