Leseverstärkerschaltung, Speichervorrichtung und Betriebsverfahren dafür
EP4042422
Art B1
10. Juli 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4042422
- Aktenzeichen
- EP20917463
- Anmeldetag
- 6. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2024
- Erteilung
- 10. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/06G11C7/12G11C11/4091H03F3/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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