Speicher

EP4043993 Art A2 17. August 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4043993
Aktenzeichen
EP21860596
Anmeldetag
22. Oktober 2021
Veröffentlichung
17. August 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C7/22G11C11/4076G11C11/4093// G06F1/04G06F1/06G06F1/3234G11C5/02G11C5/06G11C8/12G11C11/408G11C29/12G11C29/48
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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