Halbleiterstruktur und Speicherschaltung
EP4044239
Art B1
19. Juli 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4044239
- Aktenzeichen
- EP21772655
- Anmeldetag
- 24. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 19. Juli 2023
- Erteilung
- 19. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B61/00G11C11/02G11C11/16G11C14/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank