Halbleiterstruktur für einen Speicher

EP4044240 Art A1 17. August 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4044240
Aktenzeichen
EP21843572
Anmeldetag
24. Mai 2021
Veröffentlichung
17. August 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H10B61/00G11C11/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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