Spannungsprofil zur Reduktion von Lesestörungen in Speicherzellen
EP4049276
Art A1
31. August 2022
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4049276
- Aktenzeichen
- EP20879651
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2020
- Veröffentlichung
- 31. August 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C13/00G11C5/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Pio, Federico
Milano, Italien
234
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2
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