Halbleiterstrukturen mit Verringertem Thermisch Induzierten Bogen

EP4049313 Art A1 31. August 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4049313
Aktenzeichen: EP20772486
Anmeldetag: 1. September 2020
Veröffentlichung: 31. August 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/06H01L29/20H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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