Speichersystem
EP4053701
Art B1
2. Oktober 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4053701
- Aktenzeichen
- EP21863077
- Anmeldetag
- 16. August 2021
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2024
- Erteilung
- 2. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F11/10G11C16/10G11C29/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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