Spartransformator, Hochfrequenzvorrichtung und Verfahren zum Bau eines Spartransformators
EP4053861
Art A1
7. September 2022
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4053861
- Aktenzeichen
- EP21161087
- Anmeldetag
- 5. März 2021
- Veröffentlichung
- 7. September 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01F19/04H01F30/02H01F27/28H03F1/56H01L23/522H01L23/66H03F3/195
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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