Struktur mit einer Dünnschicht, die auf einen mit einer Landungseinfangenden Schicht Versehenen Träger Übertragen Wird

EP4060715 Art A1 21. September 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4060715
Aktenzeichen: EP22172838
Anmeldetag: 26. März 2020
Veröffentlichung: 21. September 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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