Standardzelltemplate und Halbleiterstruktur

EP4060738 Art A1 21. September 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4060738
Aktenzeichen
EP21859332
Anmeldetag
22. Juli 2021
Veröffentlichung
21. September 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02H01L27/088H01L27/092H01L27/108H01L21/8238// H01L27/118
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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