Verfahren zur Bindung Zweier Substrate

EP4066278 Art A1 5. Oktober 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4066278
Aktenzeichen
EP20820509
Anmeldetag
24. November 2020
Veröffentlichung
5. Oktober 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/67
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SOITEC
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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