Latch-Up-Teststruktur für Integrierte Schaltung

EP4067917 Art A1 5. Oktober 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4067917
Aktenzeichen
EP21901688
Anmeldetag
7. Juli 2021
Veröffentlichung
5. Oktober 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/00G11C29/02G11C29/04G11C29/24H01L21/66G01R31/28// G11C29/50G11C29/56H01L27/092
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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