Testschaltung

EP4068290 Art A1 5. Oktober 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4068290
Aktenzeichen
EP21895921
Anmeldetag
7. Juli 2021
Veröffentlichung
5. Oktober 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/46// G11C29/14G11C29/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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