Fehlerkorrektursystem

EP4071762 Art B1 5. Juli 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4071762
Aktenzeichen
EP21854865
Anmeldetag
9. August 2021
Veröffentlichung
5. Juli 2023
Erteilung
5. Juli 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G06F11/10G11C29/42H03M13/29H03K19/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

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