Verfahren zum Ätzen von Substraten mit einer Dünnen Oberflächenschicht zur Verbesserung der Gleichmässigkeit der Dicke der Schicht

EP4078658 Art B1 25. Oktober 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4078658
Aktenzeichen: EP20824606
Anmeldetag: 27. November 2020
Veröffentlichung: 25. Oktober 2023
Erteilung: 25. Oktober 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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