Co-Implantat-Spezies mit Durchgangsgate zur Steuerung des Dotierungsprofils in Transistoren
EP4078661
Art A1
26. Oktober 2022
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4078661
- Aktenzeichen
- EP20901415
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 26. Oktober 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8232H01L27/085H01L29/10H01L29/78H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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