Hemt-Transistor

EP4078681 Art A1 26. Oktober 2022

Anmelder: THALES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4078681
Aktenzeichen: EP20824594
Anmeldetag: 18. Dezember 2020
Veröffentlichung: 26. Oktober 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/40H01L29/417H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: THALES
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

5.826 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von