Speicherarray-Strukturen und Verfahren zur Bestimmung von Resistiven Eigenschaften von Zugangsleitungen

EP4082014 Art A1 2. November 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4082014
Aktenzeichen: EP20829288
Anmeldetag: 7. Dezember 2020
Veröffentlichung: 2. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: G11C8/14G11C29/02G11C5/02G11C5/06G11C16/04G11C16/08G11C29/12G11C29/24G11C29/44H01L27/115G11C29/54

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von