Galliumnitrid-Transistoren mit Hoher Elektronenmobilität (hemts) mit Reduziertem Stromkollaps und Verbesserter Zusätzlicher Leistungseffizienz

EP4082044 Art A1 2. November 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4082044
Aktenzeichen: EP20812187
Anmeldetag: 3. November 2020
Veröffentlichung: 2. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/207H01L29/778H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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