Speicher und Verfahren zur Vorbereitung eines Speichers

EP4084072 Art A1 2. November 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4084072
Aktenzeichen
EP21853856
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
2. November 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/105H01L29/423H01L21/28H10B12/00H01L29/78H10B99/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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