Integrierte Schaltung und Layoutverfahren dafür
EP4086957
Art A1
9. November 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4086957
- Aktenzeichen
- EP21870508
- Anmeldetag
- 15. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 9. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L27/118G06F30/398G06F30/392
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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