Elektrostatische Schutzschaltung und Halbleitervorrichtung

EP4086958 Art A1 9. November 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4086958
Aktenzeichen
EP21893124
Anmeldetag
15. Juli 2021
Veröffentlichung
9. November 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02H02H9/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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