Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
EP4086960
Art B1
1. Oktober 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4086960
- Aktenzeichen
- EP21908076
- Anmeldetag
- 10. August 2021
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Erteilung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H01L21/308H01L21/321H10D64/27H01L21/28H01L21/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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