Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung

EP4086972 Art A1 9. November 2022

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4086972
Aktenzeichen: EP22163968
Anmeldetag: 24. März 2022
Veröffentlichung: 9. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L21/336H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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