Verfahren zum Verbinden Zweier Halbleitersubstrate

EP4088309 Art B1 1. November 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4088309
Aktenzeichen: EP20845202
Anmeldetag: 15. Dezember 2020
Veröffentlichung: 1. November 2023
Erteilung: 1. November 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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