Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und Dreidimensionaler Integrierter Schaltkreis

EP4089725 Art A1 16. November 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4089725
Aktenzeichen
EP21847280
Anmeldetag
15. Juli 2021
Veröffentlichung
16. November 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/367H01L23/373H01L23/48// H01L21/48
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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