Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP4089742
Art A1
16. November 2022
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4089742
- Aktenzeichen
- EP22172820
- Anmeldetag
- 11. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 16. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/40H01L29/737H01L21/331// H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank