Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors

EP4091197 Art A1 23. November 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4091197
Aktenzeichen: EP21719689
Anmeldetag: 14. Januar 2021
Veröffentlichung: 23. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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