Halbleiterbauelement

EP4092675 Art A1 23. November 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4092675
Aktenzeichen
EP20943341
Anmeldetag
11. November 2020
Veröffentlichung
23. November 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/04G11C11/4074G11C11/4078G01K7/01H01L23/34// G11C5/14H01L25/065H01L25/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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