Halbleiterbauelement mit Leitendem Element, das über Dielektrische Schichten Ausgebildet Ist, und Verfahren zur Herstellung davon
EP4092755
Art A3
5. April 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4092755
- Aktenzeichen
- EP22174036
- Anmeldetag
- 18. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 5. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/338H01L29/41// H01L29/08H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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