Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Kristallinen Oxidhalbleiterschicht und Galliumoxidschicht sowie Verfahren zur Herstellung eines Vertikalen Halbleiterbauelements
EP4101952
Art A1
14. Dezember 2022
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4101952
- Aktenzeichen
- EP20917770
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/16C23C16/01C23C16/40C23C16/56C30B25/18C30B33/06H01L21/365H01L21/368C23C16/02C23C16/448C30B25/14H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Kanzlei
Wuesthoff & Wuesthoff
München, Deutschland
Wuesthoff & Wuesthoff wurde 1927 in Berlin von Dr. Franz und Dr. Freda Wuesthoff gegründet, die erste deutsche Patentanwältin, und zog 1949 nach München. Schwerpunkte liegen in Biotechnologie und Life Sciences, beraten wird auch auf Chinesisch, Koreanisch und Japanisch.
30.184
Patente gesamt
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