Speichereinstellungsverfahren und -System und Halbleitervorrichtung

EP4102505 Art A1 14. Dezember 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4102505
Aktenzeichen
EP21859863
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
14. Dezember 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/04G11C29/02G11C29/12// G11C11/22G11C11/401G11C11/4074G11C11/4076G11C11/4091G11C29/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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