Halbleiterbauelement mit einer mit der Gate-Metallisierung Verbundenen Diodenkette

EP4105989 Art A1 21. Dezember 2022

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4105989
Aktenzeichen: EP21179748
Anmeldetag: 16. Juni 2021
Veröffentlichung: 21. Dezember 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/02H01L29/78H01L29/739H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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