Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
EP4109533
Art A1
28. Dezember 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4109533
- Aktenzeichen
- EP21859823
- Anmeldetag
- 22. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin
-
V.O
V.O · Den Haag