Vorrichtungen und Verfahren zur Schnittstellenbildung bei der Musteranpassung auf dem Speicher
EP4111452
Art A1
4. Januar 2023
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4111452
- Aktenzeichen
- EP21760318
- Anmeldetag
- 9. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C11/4096G11C11/4076G11C11/4093G06F3/06G06F11/10G06F16/2455G11C11/406G11C15/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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