Vorrichtungen und Verfahren zur Schnittstellenbildung bei der Musteranpassung auf dem Speicher

EP4111452 Art A1 4. Januar 2023

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4111452
Aktenzeichen
EP21760318
Anmeldetag
9. Februar 2021
Veröffentlichung
4. Januar 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C11/4096G11C11/4076G11C11/4093G06F3/06G06F11/10G06F16/2455G11C11/406G11C15/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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