Halbleiterbauelement mit Aluminiumnitrid-Ablenkschutzschicht

EP4115452 Art A1 11. Januar 2023

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4115452
Aktenzeichen: EP20845752
Anmeldetag: 30. Dezember 2020
Veröffentlichung: 11. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0216H01L31/103G01J1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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