Verbindungshalbleiterwafer, Element zur Fotoelektrischen Umwandlung und Verfahren zur Herstellung von Gruppe-Iii-V-Verbindungshalbleiter-Einkristallen
EP4119703
Art A1
18. Januar 2023
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4119703
- Aktenzeichen
- EP22188569
- Anmeldetag
- 11. März 2014
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/42C30B15/22C30B27/02H01L31/0735C30B29/40C30B15/20C30B15/30H01L31/18C30B15/04H01L31/0304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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