Nichtflüchtige Speichervorrichtung, die Nur eine Vorbestimmte Anzahl von Malen Lesbar Ist

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4120272

Aktenzeichen

EP22182461

Anmeldetag

1. Juli 2022

Veröffentlichung

23. April 2025

Erteilung

23. April 2025

Rechtsraum

EP

IPC

G11C16/04G11C16/10G11C16/22G11C16/24G11C16/26

Abstract

Dispositif de mémoire non volatile, comprenant un plan mémoire comportant au moins une zone mémoire (ZM) incluant une matrice de cellules mémoires (Mi,j) ayant deux rangées et N colonnes, chaque cellule-mémoire comprenant un transistor d'état ayant une grille de commande et une grille flottante, sélectionnable par un transistor de sélection vertical enterré dans un substrat et comportant une grille de sélection enterrée, chaque colonne de cellules-mémoires incluant une paire de cellules-mémoires jumelles, les deux transistors de sélection d'une paire de cellules-mémoires jumelles ayant une grille de sélection commune, et des moyens de traitement configurés pour stocker dans la zone mémoire une information comportant une succession de N bits de sorte que, à l'exception du dernier bit de la succession, un bit courant de ladite succession est stocké dans deux cellules-mémoires situées sur une même rangée et sur deux colonnes adjacentes et un bit courant et le bit suivant sont respectivement stockés dans deux cellules jumelles.

Anmelder

Firmen

STMicroelectronics (Rousset) SAS
STMicroelectronics International N.V.

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete