Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

EP4120333 Art A1 18. Januar 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4120333
Aktenzeichen
EP21935429
Anmeldetag
10. August 2021
Veröffentlichung
18. Januar 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8238H10B12/00H01L21/28H01L29/51H01L27/092// H01L21/8234H01L27/088
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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