Verfahren zur Herstellung einer Halbleitenden Dünnschichtvorrichtung

EP4122001 Art A1 25. Januar 2023

Anmelder: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO, Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4122001
Aktenzeichen: EP21714273
Anmeldetag: 17. März 2021
Veröffentlichung: 25. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/033H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 TNO (Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek)

Niederländisches, unabhängiges Forschungsinstitut für angewandte Naturwissenschaften mit Sitz in Den Haag. TNO betreibt anwendungsorientierte Forschung und Entwicklung in Bereichen wie Energie, Mobilität, Gesundheit, Verteidigung und Informationstechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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